NAND Flash制造商考虑涨价;三星推迟4nm生产线投资

作者:纽沃克 时间:2023-05-20 16:14:55阅读:

今日热点

1. 三星等NAND制造商考虑涨价

2. 需求增多,英伟达向台积电追加订单

3. 晶圆制造业第二季度出现好转迹象

4. 三星将推迟对4nm生产线投资

5. 机构:存储芯片价格已接近周期底部

01

三星等NAND制造商考虑涨价

 

知情人士透露,包括三星电子和SK海力士在内的NAND闪存芯片制造商正在考虑提高报价。NAND flash价格暴跌给供应商造成了巨大损失,他们现在正在努力止血。

三星和SK海力士在寻求将其NAND闪存价格提高3%-5%。并表示NAND闪存的价格已经降至可变成本以下,一些品牌SSD的价格已经接近HDD的价格。

分析表示,DRAM现货市场价格已经触底,但NAND闪存价格跌势仍在放缓,但速度较慢。SSD和UFH在终端市场需求疲软的情况下价格仍在下跌,预计第二季度不会有太大改善。

02

英伟达向台积电追加订单

ChatGPT带来的人工智能爆发,导致世界上对高算力GPU加速卡的需求激增。目前英伟达最新的H100 GPU、A100 GPU需求火热,供不应求。近期市场消息人士透露,英伟达已向台积电追加这类GPU芯片的订单,此举也为遭到联发科等砍单的台积电,及时填补了产能缺口。

英伟达目前顶级的H100 Tensor Core GPU采用Hopper架构,使用台积电4nm制程制造,其配备第四代Tensor Core和Transformer引擎,单卡搭载80GB显存,相比A100 GPU每千瓦运算效率提高了2倍。

英伟达的DGX H100系统搭载8个H100 GPU,可通过NVIDIA NVLink连接形成一个整体,目前已被世界多所知名大学、科技公司所使用。

03

晶圆制造业第二季度出现好转

国际半导体产业协会(SEMI)编制的半导体制造业监测(SMM)数据显示,目前全球半导体制造业的收缩预计将在2023年第二季度放缓,并有望从第三季度开始逐步复苏。

SEMI称,第二季度包括IC销售和硅片出货量在内的行业指标(均部分受到季节性因素的支持)表明环比有所改善。然而,尽管有所增长,但库存增加继续抑制出货量,晶圆厂产能利用率仍远低于去年的水平。

此外,随着主要行业利益相关者调整资本支出,半导体设备销售额继续下降。指标表明当前的低迷可能在2023年第二季度触底,预计下半年将开始缓慢复苏。

04

三星推迟对4nm生产线投资

知情人士称,三星正在考虑推迟其平泽三号(P3)工厂晶圆代工生产线上的封装设备投资,并将计划于今年第四季度量产的首款产品推迟至明年。分析认为,半导体需求低迷导致IT供应商推迟对数据中心的投资,因此三星也采取了更为保守的做法。

三星计划在P3工厂打造的代工线为4nm工艺。年初计划每月投资2.8万片12英寸晶圆,占三星电子晶圆代工总产量的6%-7%。韩国业内消息人士此前指出,这条代工线最早将于2023年5月开始试生产。

一直在快速打造P3生产线的三星开始调整计划,因为它判断半导体市场没有像预期的那样迅速复苏。由于代工厂的利用率主要取决于订单,随着客户推迟投资,三星也需要相应调整。

另一方面,预计随着三星P3代工投资放缓,DRAM产线增设规模也将缩减。市场研究公司Omdia预测,P3工厂的DRAM产线产能增幅将从最初计划的5万片减少至3万片左右。

值得注意的是,虽然三星官方已经宣布内存减产,但减产主要集中在DDR4,价格相对较低,库存充足。同时,三星也在确保其在难度更大的DDR5和LPDDR5上的产能。

05

机构:存储芯片价格已接近周期底部

昨日存储芯片板块表现强势,恒烁股份收获20%幅度涨停,朗科科技、德明利、聚辰股份、东芯股份等纷纷跟涨。

机构人士认为,目前存储芯片价格已接近周期底部,继续下行的空间有限。叠加AI的需求驱动增长因素,存储芯片厂商有望迎来估值与业绩的“戴维斯双击”。

自去年下半年以来,全球消费电子行业景气度下降,存储芯片的需求也随之下降,价格大幅降低。

不过,近期有关存储芯片触底的消息不断出现。5月16日有报道称,某原厂闪存开始涨价,幅度大约为3%至5%,如256G闪存已经涨价4美元至5美元。此外,5月18日有消息称,韩国存储芯片巨头SK海力士已启动筹资计划,规模高达5000亿韩元(约合3.73亿美元),其中3000亿韩元预计将向韩亚银行贷款,并通过其他金融机构借款2000亿韩元。SK海力士高层表示,筹资意在为市场需求好转做好准备,预估最快在今年第三季度就能迎来行业反弹。

存储芯片属于周期性较高的行业,每轮周期持续大约3至4年。国金证券认为,当前存储芯片行业正走在2021年下半年以来的下行周期。本轮下行周期中,存储器销售增速在2021年年中见顶,2022年增速转负。存储芯片价格有望逐渐接近下行周期底部,看好今年二三季度存储芯片板块迎来止跌。

东莞证券表示,本轮DRAM(动态随机存取内存)价格自高点已下跌超过60%,超过历史最大跌幅。近日原厂产品价格开始上涨,且美光、三星等海外大厂已通知经销代理商,将不再以低于当前价格出售存储芯片,存储芯片价格继续下行的空间有限,行业底部特征明显。

此外,AI技术的发展也为存储芯片产业带来新机遇。券商研究人士认为,AI等高算力设备推动巨量数据存储有望成为新的增长点,AI服务器有望带动存储行业景气度及需求快速提升,加速存储行业库存进一步出清。

根据美光数据测算,一台人工智能服务器的DRAM使用量是普通服务器的8倍,大容量及高速率存储器将是算力数据迭代运算的重要基础。

国盛证券认为,人工智能计算量日益增加,对于AI服务器硬件需求将进一步提升。从服务器硬件配置角度看,HBM (高带宽存储器)技术将快速在AI服务器中普及,其价格远高于现有基础服务器配置,未来AI服务器需求将带领存储芯片出现量价齐升的趋势。

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